Memoria RAM G. Skill Flare X5 32GB (2x16GB) 5600 MHz
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G. Skill Flare X5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Memoria RAM
Dise ñ per piattaforme AMD AM5 abilitate DDR5, la memoria DDR5 nella serie Flare X5 è &ntilse ñ per alte prestazioni su una dista ñ o a basso profilo. Con i profili overclocking AMD EXPO per facilitare il overclocking della memoria, gli utenti possono facilmente abilitare le prestazioni in overclocking semplicemente abilitando EXPO nel BIOS su sistemi compatibili.
Disa ñ ado per AMD, dise ñ ado per le prestazioni
Creato da circuiti integrati DDR5 DRAM di alta qualità, i kit di memoria Flare X5 sono ñ s per le prestazioni sulle piattaforme AMD. Con i profili AMD EXPO (Extended Profiles for overclocking), Flare X5 consente un overclocking a singola memoria a passaggio singolo per portare BIOS &ealds su schede madri compatibili.
Matt Minimalismo
Disponibile in nero anodizzato nero, il modulo di memoria Flare X5 viene presentato con un diso ñ o minimalista - ispirato alle griglie e ai sentieri dei &aastie fisici, ed è ideale per una varietà di argomenti di costruzione ñ o semplice.
Creato per la qualità
Ogni kit di memoria Flare X5 viene creato con circuiti integrati selezionati a mano ed è collaudato per il rigoroso processo di validazione di G. SKILL per garantire qualità eccezionale.
Disa ñ o basso profilo compatto
Con un'altezza di basso profilo di soli 33 mm, il Flare X5 è una scelta ideale per PC compatti o sistemi con snodi CPU di grandi dimensioni.
Supporto EXPO AMD
Simply config &utegrus e pronto. Programmata con profili overclocking AMD EXPO, l'unica cosa che sta tra di voi e una performance uncrate è una semplice configurazione del BIOS.
Specifiche:
- Memoria
- Tipo di memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 32 GB
- Modulo del Fattore di memoria: 288 - pin DIMM
- Frequenza: 5600 MHz
- Layout di memoria (modles x dimensione): 2 x 16 GB
- CIT Latenza: CL36
- ECC: No
- Memoria senza buffer:
- Dettagli t &eicnics
- Tipo di raffreddamento: Disiant t &eatuosrmico
- Controllo alimentazione &iuteres to
- Tensione di memoria: 1,2 V
