Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz

Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz, Img
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz, Img 1
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz, Img 2
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz, Img 3
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz
Memoria RAM Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz, Img 4
Disponibilità:Non Disponibile

70,57€

o
compra velocemente senza registrarti

(2.000 Kg.)

Riceverete il vostro ordine entro 24 ore se lo si fa dal Lunedi al Giovedi prima del 18 pm o Venerdì prima di 13 ore(Penisola e Baleari posizioni 50 km dalla sede della delegazione del trasporto merci)Visualizzare le opzioni di

Kingston KVR1333D3N9/8G 8GB DDR3 1333MHz Memoria RAM

Memoria di alta qualità aumenta la produttività e la m &oacuità della memoria DDR4 non ECC CL11 DIMM Kingston 4GB 1600MHz non ti delude. M &aemts velocità e capacità di lavorare con i programmi allo stesso tempo sono i vantaggi principali aumentando la memoria che porterà a una grande esperienza piacevole.

Personale &iacutti:

  • Memoria interna 8 GB, 1333 MHz, DDR3, Non - ECC CL9 DIMM, 240-pin, 1,5 V
  • La memoria Kingston è testata al 100%
  • D ñ ed e controllata secondo le regole JEDEC, e consente di acquistare memoria in base alle specifiche
  • Fattore di forma: 240 - pin DIMM

Specifiche KVR1333D3N9 Kingston:

  • CL (IDD): 9 cicli
  • Tempo di Ciclo di riga (tRCmin): 49.5ns (min.)
  • Aggiornamento al Tempo di comando attivo / Refresh (tRFCmin): 260ns (min)
  • Tempo attivo (tRASmin): 36ns (min.)
  • Consumo m &amassimo in funzionamento: 2,460 W*
  • Rapporto UL: 94 V-0
  • Temperatura operativa: 0 º C a 85 º C
  • Temperatura di memoria: -55 º C a + 100 º C