Memoria RAM Kingston KVR16S11S8/4 4GB DDR3 1600MHz SODIMM
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Kingston KVR16S11S8/4 4GB DDR3 1600MHz SODIMM Memory RAM
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Specifiche KVR16S11S8/4 Kingston:
- Alimentatore &obutin n: JEDEC est 1,5V (1,425V ~ 1,575V)
- VDDQ = 1,5V (1,425V ~ 1,575V)
- 800MHz fCK per 1600Mb/sec/pin
- Latenza interna indipendente
- Programmable CAS Latenza: 11, 10, 9, 7, 6
- Latenza programmabile: 0, CL-2, o CL-1 orologio
- Lunghezza di r &arecunzio: 8 (Interval senza limite, sequenziale solo con direzione iniziale "000"), 4 con tCCD = 4 che non consente letture trasparenti o scritture [ o al volo utilizzando A12 o MRS]
- Bi - Direzione Strobe direzionale Differenziale
- Calibrazione interna (Auto): Autocalibrato interno &o n per pin ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Su Die "Fine" utilizzando il pin ODT
- Tempo di aggiornamento medio 7.8us a un minore di TCASE 85 º C, 3.9us a 85 º C
- PCB: Alto 1,180? (30,00mm), componenti dual-sided
- CL (IDD): 11 cicli
- Tempo di ciclo di riga (tRCmin): 48.12ns (min)
- Aggiornamento al comando Tempo attivo / Aggiornamento (tRFCmin): 260ns (min.)
- Tempo di ciclo di riga (tRASmin) 35ns (min.)
- Potenza di funzionamento 2.100 W (Potenza varia a seconda di SDRAM utilizzata)
- UL Rating 94 V-0
- Temperatura operativa 0 º C a 85 º C
- Temperatura di archiviazione -55 º C a + 100 º C
